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Electron Backscattered Diffraction (EBSD)

Schematische Darstellung von EBSD.
Kornverteilung in multikristallinem Silizium.

Die Beugung rückgestreuter Elektron (engl. Electron Backscattered Diffraction, EBSD) dient zur Bestimmung von Informationen über die Kristallstruktur massiver Proben in einem Rasterelektronenmikroskop (REM). Bei dieser Methode wird die zu untersuchende Probe in einem Winkel von 70° gegenüber dem einfallenden Elektronenstrahl geneigt, sodass die Elektronen inelastisch an den Atomen der Probe streuen. Wird für einfallende Elektronen an Gitterebenen die Braggbedingung erfüllt, so kann es zu konstruktiver Interferenz kommen. Über alle Gitterebenen im Kristall hinweg ergibt dies eine Verstärkung, sodass das Beugungsbild Informationen über die Kristallsymmetrie enthält. Ebenso können mittels vorgegebener Kristallstrukturen Phasen oder Kristallorientierungen in der Probe bestimmt werden. Eine weiterführende Auswertung der Daten ermöglicht die Untersuchung der Kornverteilung oder die Bestimmung von Polfiguren.

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